1200℃双温区CVD系统
- 品牌：SGM
- 类型：高温电炉系列
- 温度：双温区CVD系统
- 规格：TF80-12II-3CVD
产品详情
产品用途：
STR-TF80-12II-3双温区CVD系统生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
CVD系统统配置：
1、1200度开启式真空管式炉（可选配单温区、双温区）。
2、多路质量流量控制系统
3、真空系统（可选配中真空或高真空）
电炉特点：
1 、控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。2 、气路快速连接法兰结构采用本公司有的知识产权技术设计,提高操作便捷性。
3、 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵
4、防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。
主要技术参数：
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设备名称 |
1200℃双温区CVD系统 |
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系统型号 |
TF80-12II-3 |
TF80-12II6-3 |
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极限温度 |
1200℃ |
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加热区长度 |
420mm |
600mm |
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恒温区长度 |
280mm |
390mm |
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温区 |
双温区 |
双温区 |
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石英管管径 |
Φ50/Φ60/Φ80mm |
Φ80/Φ100mm |
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额定功率 |
3.2Kw |
4.8Kw |
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额定电压 |
220V |
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温度控制 |
国产程序控温系统50段程序控温； |
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控制精度 |
±1℃ |
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炉管工作温度 |
＜1200℃ |
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气路法兰 |
密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技术，在密封法兰与管外壁间形成了密封，在管件外径误差较大的情况下密封仍然有效，该密封法兰的安装只需在初次使用设备的时候安装 |
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气体控制方式 |
质量流量计 |
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气路数量 |
3路（可根据具体需要选配气路数量） |
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流量范围 |
0-500sccm(标准毫升/分，可选配）氮气标定 |
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精度 |
±1%F.S |
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响应时间 |
≤4sec |
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工作温度 |
5-45℃ |
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工作压力 |
进气压力0.05-0.3Mpa(表压力） |
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系统连接方式 |
采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪 |
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规格 |
高真空 |
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系统真空范围 |
1x10-3Pa-1x10-1Pa |
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真空泵 |
真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1200L/S额定电压220V 功率2KW |
真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1600L/S额定电压220V 功率2KW |
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炉体外形尺寸 |
340×580×555mm |
480×770×605mm |
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系统外形尺寸 |
530x1440x750mm(不含高真空) |
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系统总重量 |
330kg |
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TAG:CVD 双温区
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