一套cvd钻石设备多少钱
cvd钻石设备是由STR-TF80-12高温管式炉与多路气氛混气系统、真空系统组成。cvd钻石设备是利用等离子沉积原理培养钻石的工艺。可用碳与骨灰制造钻石.
钻石cvd是什么意思 ？
CVD钻石的培育方法
CVD培育钻石是一种由直径10到30纳米钻石晶体合成的多结晶钻石，它的化学成分为碳，运用先进的设备模拟大自然中钻石生长环境，通过化学气象沉积技术（CVD）栽种而成。此外，CVD钻石还属于宝石级钻石，与天然钻石具有相同的元素结构和物理、化学、以及光学特性，在肉眼上是无法区分两者之间的区别的。尽管CVD培育钻石是在实验室里培育出来的，但它也属于真正的钻石，并且在珠宝市场上越来越受欢迎。
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骨灰钻石制作设备价格
CVD培育钻石是一种由直径10到30纳米钻石晶体合成的多结晶钻石，它的化学成分为碳，运用先进的设备模拟大自然中钻石生长环境，通过化学气象沉积技术（CVD）栽种而成.
MPCVD单晶金刚石沉积设备
适合的应用:
化学气相沉积法制备高品质单晶金刚石
化学气相沉积法制备高品质多晶金刚石自支撑厚膜
化学气相沉积法制备高品质多晶金刚石薄膜
化学气相沉积法制备石墨烯、碳纳米管、富勒烯和金刚石膜等各种碳纳米薄膜
产品特点：
本产品为不锈钢腔体式6kw微波等离子体设备，功率密度高；
水冷式基片台和水冷式金属反映腔，保证系统能长时间稳定工作；
基片温度以微波等离子体自加热方式达到；
真空测量仪表采用全量程真空计，可**测量本底真空和工作气体压强；
真空泵及阀门采用涡轮分子泵(极限真空为1×10-5Pa)和旋片式机械真空泵(极限真空为1Pa)，系统可自动控制沉积气压；
配备冷却水循环系统，确保装置高功率下可长时间安全稳定运行；
系统带15寸触摸屏，PLC自动控制，可设置温度或气压恒定，可保存复用多达20套工艺文件；
全自动工艺控制模块，可以稳定可靠地制备高品质金刚石薄膜和晶体
技术指标与特性：
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微波系统（法国Sairem 微波源） |
微波频率 |
2450±25MHz |
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输出功率 |
0.6kw~6kw 连续可调 |
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微波调谐 |
三销钉调配器，模式转换天线 |
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微波反射保护 |
环形器，水负载 |
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微波工作模式 |
TM013 |
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微波泄漏 |
≤ 2 mw/cm2 |
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真空系统 |
工作气压范围 |
10~250Torr |
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自动稳压范围 |
40~250Torr |
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真空泵 |
4.4L/s 旋片式真空泵 |
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系统漏率 |
<1.0x10-9 Pa・m3 /秒 (通过氦质谱检漏仪检测) |
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腔体保压能力 |
每24 小时压升小于0.2 乇 |
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本底极限真空 |
0.1Pa（7.5 x10-4 Torr) |
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真空测量 |
品牌薄膜规 |
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真空反应腔 |
反应腔材料及结构 |
双层水冷不锈钢反应腔 |
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真空密封 |
金属密封+氟胶圈密封(取样门) |
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反应腔内径 |
直径140mm |
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样品台窗口 |
105x50mm 长方形端口，带O 形氟橡胶圈密封的前门 |
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观察窗口 |
两个端口，CF35 大口径，180°分布 |
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测温窗口 |
两个窗口水平角度25~30°，180°分布；窗口方便从反应腔上部的 斜角向下检测样品台的温度 |
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样品台 |
电动升降式水冷基片台 直径100mm，高度可调范围0～70mm |
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钼基片台直径≥50mm，在5000w, 180Torr 工作状态，等离子体火球可覆盖 整个基片台 |
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基片台温度 250～1400℃（取决于工艺参数） |
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气路 |
选用日本进口流量计及流量控制阀 |
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系统自带四路MFC |
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四路MFC *大流速：H2: 1000sccm，CH4：100sccm，O2：20sccm，N2：2sccm |
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测温系统 |
德国Raytek 红外测温系统，测温范围：300~1300 摄氏度 |
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系统软件 |
配置PLC 控制的15“触摸显示屏，用户操作界面友好，所有操作均可在触摸 屏上完成 |
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系统支持工程师和操作员两个用户级别，提供用户权限管理功能 |
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系统自带缺水，缺气，电源缺相，火球跳变，过温过载，打火等自动保护 |
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可设置多达10 套工艺配方，每套配方有40 行数据，生产流程通过工艺配方自 动控制，工艺数据可通过U 盘备份导出 |
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系统自带全自动抽气，点火，升温，降温等预设流程，用户操作简便 |
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全自动温度控制，气压控制，极大减轻系统操作员的工作量 |
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